die 
间
，间层
Eine Raumladungszone ist in Halbleitern ein Bereich, in dem entweder ein Überschuss bzw. Mangel von Ladungsträgern vorherrscht, sodass diese Zone nicht mehr ladungsneutral ist. Raumladungszonen ergeben sich durch Störung der räumlichen Homogenität wie an der Oberfläche des Kristalls, bei einem Metall-Halbleiter-Kontakt, einem p-n-Übergang, an Korngrenzen und bei Auftreten von Oberflächenzuständen (z. B. Oberflächenplasmonen).
space charge region
间，间层Eine Raumladungszone ist in Halbleitern ein Bereich, in dem entweder ein Überschuss bzw. Mangel von Ladungsträgern vorherrscht, sodass diese Zone nicht mehr ladungsneutral ist. Raumladungszonen ergeben sich durch Störung der räumlichen Homogenität wie an der Oberfläche des Kristalls, bei einem Metall-Halbleiter-Kontakt, einem p-n-Übergang, an Korngrenzen und bei Auftreten von Oberflächenzuständen (z. B. Oberflächenplasmonen).
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间
】间用户正在搜索
Gemischregelung, Gemischregelventil, Gemischregler, Gemischregulierschraube, Gemischregulierventil, Gemischrest, Gemischschichtung, Gemischschichtungsverfahren, Gemischschmierung, Gemischspülung,
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die 间，间层
Eine Raumladungszone ist in Halbleitern ein Bereich, in dem entweder ein Überschuss bzw. Mangel von Ladungsträgern vorherrscht, sodass diese Zone nicht mehr ladungsneutral ist. Raumladungszonen ergeben sich durch Störung der räumlichen Homogenität wie an der Oberfläche des Kristalls, bei einem Metall-Halbleiter-Kontakt, einem p-n-Übergang, an Korngrenzen und bei Auftreten von Oberflächenzuständen (z. B. Oberflächenplasmonen).
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间，间层Eine Raumladungszone ist in Halbleitern ein Bereich, in dem entweder ein Überschuss bzw. Mangel von Ladungsträgern vorherrscht, sodass diese Zone nicht mehr ladungsneutral ist. Raumladungszonen ergeben sich durch Störung der räumlichen Homogenität wie an der Oberfläche des Kristalls, bei einem Metall-Halbleiter-Kontakt, einem p-n-Übergang, an Korngrenzen und bei Auftreten von Oberflächenzuständen (z. B. Oberflächenplasmonen).
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荷区，荷层
Eine Raumladungszone ist in Halbleitern ein Bereich, in dem entweder ein Überschuss bzw. Mangel von Ladungsträgern vorherrscht, sodass diese Zone nicht mehr ladungsneutral ist. Raumladungszonen ergeben sich durch Störung der räumlichen Homogenität wie an der Oberfläche des Kristalls, bei einem Metall-Halbleiter-Kontakt, einem p-n-Übergang, an Korngrenzen und bei Auftreten von Oberflächenzuständen (z. B. Oberflächenplasmonen).
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荷区，荷层Eine Raumladungszone ist in Halbleitern ein Bereich, in dem entweder ein Überschuss bzw. Mangel von Ladungsträgern vorherrscht, sodass diese Zone nicht mehr ladungsneutral ist. Raumladungszonen ergeben sich durch Störung der räumlichen Homogenität wie an der Oberfläche des Kristalls, bei einem Metall-Halbleiter-Kontakt, einem p-n-Übergang, an Korngrenzen und bei Auftreten von Oberflächenzuständen (z. B. Oberflächenplasmonen).
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荷区
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Gemischtransport, gemischtrassig, Gemischtströmung, Gemischturbulenz, Gemischtwaren, Gemischtwarenhandlung, gemischtwirtschaftlich, Gemischüberfettung, Gemischverdichtung, Gemischverhältnis,
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Eine Raumladungszone ist in Halbleitern ein Bereich, in dem entweder ein Überschuss bzw. Mangel von Ladungsträgern vorherrscht, sodass diese Zone nicht mehr ladungsneutral ist. Raumladungszonen ergeben sich durch Störung der räumlichen Homogenität wie an der Oberfläche des Kristalls, bei einem Metall-Halbleiter-Kontakt, einem p-n-Übergang, an Korngrenzen und bei Auftreten von Oberflächenzuständen (z. B. Oberflächenplasmonen).
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间电，间电层Eine Raumladungszone ist in Halbleitern ein Bereich, in dem entweder ein Überschuss bzw. Mangel von Ladungsträgern vorherrscht, sodass diese Zone nicht mehr ladungsneutral ist. Raumladungszonen ergeben sich durch Störung der räumlichen Homogenität wie an der Oberfläche des Kristalls, bei einem Metall-Halbleiter-Kontakt, einem p-n-Übergang, an Korngrenzen und bei Auftreten von Oberflächenzuständen (z. B. Oberflächenplasmonen).
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【电】
间电
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Eine Raumladungszone ist in Halbleitern ein Bereich, in dem entweder ein Überschuss bzw. Mangel von Ladungsträgern vorherrscht, sodass diese Zone nicht mehr ladungsneutral ist. Raumladungszonen ergeben sich durch Störung der räumlichen Homogenität wie an der Oberfläche des Kristalls, bei einem Metall-Halbleiter-Kontakt, einem p-n-Übergang, an Korngrenzen und bei Auftreten von Oberflächenzuständen (z. B. Oberflächenplasmonen).
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荷区
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die 荷区，荷层
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荷区，荷层Eine Raumladungszone ist in Halbleitern ein Bereich, in dem entweder ein Überschuss bzw. Mangel von Ladungsträgern vorherrscht, sodass diese Zone nicht mehr ladungsneutral ist. Raumladungszonen ergeben sich durch Störung der räumlichen Homogenität wie an der Oberfläche des Kristalls, bei einem Metall-Halbleiter-Kontakt, einem p-n-Übergang, an Korngrenzen und bei Auftreten von Oberflächenzuständen (z. B. Oberflächenplasmonen).
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荷区
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die 荷区，荷层
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荷区，荷层Eine Raumladungszone ist in Halbleitern ein Bereich, in dem entweder ein Überschuss bzw. Mangel von Ladungsträgern vorherrscht, sodass diese Zone nicht mehr ladungsneutral ist. Raumladungszonen ergeben sich durch Störung der räumlichen Homogenität wie an der Oberfläche des Kristalls, bei einem Metall-Halbleiter-Kontakt, einem p-n-Übergang, an Korngrenzen und bei Auftreten von Oberflächenzuständen (z. B. Oberflächenplasmonen).
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die 电荷，电荷层
Eine Raumladungszone ist in Halbleitern ein Bereich, in dem entweder ein Überschuss bzw. Mangel von Ladungsträgern vorherrscht, sodass diese Zone nicht mehr ladungsneutral ist. Raumladungszonen ergeben sich durch Störung der räumlichen Homogenität wie an der Oberfläche des Kristalls, bei einem Metall-Halbleiter-Kontakt, einem p-n-Übergang, an Korngrenzen und bei Auftreten von Oberflächenzuständen (z. B. Oberflächenplasmonen).
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电荷，电荷层Eine Raumladungszone ist in Halbleitern ein Bereich, in dem entweder ein Überschuss bzw. Mangel von Ladungsträgern vorherrscht, sodass diese Zone nicht mehr ladungsneutral ist. Raumladungszonen ergeben sich durch Störung der räumlichen Homogenität wie an der Oberfläche des Kristalls, bei einem Metall-Halbleiter-Kontakt, einem p-n-Übergang, an Korngrenzen und bei Auftreten von Oberflächenzuständen (z. B. Oberflächenplasmonen).
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【电】
电荷
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荷区，荷层Eine Raumladungszone ist in Halbleitern ein Bereich, in dem entweder ein Überschuss bzw. Mangel von Ladungsträgern vorherrscht, sodass diese Zone nicht mehr ladungsneutral ist. Raumladungszonen ergeben sich durch Störung der räumlichen Homogenität wie an der Oberfläche des Kristalls, bei einem Metall-Halbleiter-Kontakt, einem p-n-Übergang, an Korngrenzen und bei Auftreten von Oberflächenzuständen (z. B. Oberflächenplasmonen).
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