die 
荷区，荷层
Eine Raumladungszone ist in Halbleitern ein Bereich, in dem entweder ein Überschuss bzw. Mangel von Ladungsträgern vorherrscht, sodass diese Zone nicht mehr ladungsneutral ist. Raumladungszonen ergeben sich durch Störung der räumlichen Homogenität wie an der Oberfläche des Kristalls, bei einem Metall-Halbleiter-Kontakt, einem p-n-Übergang, an Korngrenzen und bei Auftreten von Oberflächenzuständen (z. B. Oberflächenplasmonen).
space charge region
荷区，荷层Eine Raumladungszone ist in Halbleitern ein Bereich, in dem entweder ein Überschuss bzw. Mangel von Ladungsträgern vorherrscht, sodass diese Zone nicht mehr ladungsneutral ist. Raumladungszonen ergeben sich durch Störung der räumlichen Homogenität wie an der Oberfläche des Kristalls, bei einem Metall-Halbleiter-Kontakt, einem p-n-Übergang, an Korngrenzen und bei Auftreten von Oberflächenzuständen (z. B. Oberflächenplasmonen).
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Austreiberschlitz, Austreiblappen, Austreibprozess, Austreibstift, Austreibung, Austreibungsperiode, austrennen, austreten, austretend, austria,
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die 荷区，荷层
Eine Raumladungszone ist in Halbleitern ein Bereich, in dem entweder ein Überschuss bzw. Mangel von Ladungsträgern vorherrscht, sodass diese Zone nicht mehr ladungsneutral ist. Raumladungszonen ergeben sich durch Störung der räumlichen Homogenität wie an der Oberfläche des Kristalls, bei einem Metall-Halbleiter-Kontakt, einem p-n-Übergang, an Korngrenzen und bei Auftreten von Oberflächenzuständen (z. B. Oberflächenplasmonen).
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荷区，荷层Eine Raumladungszone ist in Halbleitern ein Bereich, in dem entweder ein Überschuss bzw. Mangel von Ladungsträgern vorherrscht, sodass diese Zone nicht mehr ladungsneutral ist. Raumladungszonen ergeben sich durch Störung der räumlichen Homogenität wie an der Oberfläche des Kristalls, bei einem Metall-Halbleiter-Kontakt, einem p-n-Übergang, an Korngrenzen und bei Auftreten von Oberflächenzuständen (z. B. Oberflächenplasmonen).
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Austritt, austritt des hauptanschlusses, Austrittbohrung, Austritte, Austrittkante, Austrittsarbeit, Austrittsarm, Austrittsbarriere, Austrittsdampf, Austrittsdiffusor,
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die 间
，间层
Eine Raumladungszone ist in Halbleitern ein Bereich, in dem entweder ein Überschuss bzw. Mangel von Ladungsträgern vorherrscht, sodass diese Zone nicht mehr ladungsneutral ist. Raumladungszonen ergeben sich durch Störung der räumlichen Homogenität wie an der Oberfläche des Kristalls, bei einem Metall-Halbleiter-Kontakt, einem p-n-Übergang, an Korngrenzen und bei Auftreten von Oberflächenzuständen (z. B. Oberflächenplasmonen).
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间，间层Eine Raumladungszone ist in Halbleitern ein Bereich, in dem entweder ein Überschuss bzw. Mangel von Ladungsträgern vorherrscht, sodass diese Zone nicht mehr ladungsneutral ist. Raumladungszonen ergeben sich durch Störung der räumlichen Homogenität wie an der Oberfläche des Kristalls, bei einem Metall-Halbleiter-Kontakt, einem p-n-Übergang, an Korngrenzen und bei Auftreten von Oberflächenzuständen (z. B. Oberflächenplasmonen).
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Austrittsfläche, Austrittsgefälle, Austrittsgeschwindigkeit, Austrittsgruppe, Austrittskammer, Austrittskanal, Austrittskante, Austrittskavitation, Austrittskonus, Austrittskrümmer,
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Eine Raumladungszone ist in Halbleitern ein Bereich, in dem entweder ein Überschuss bzw. Mangel von Ladungsträgern vorherrscht, sodass diese Zone nicht mehr ladungsneutral ist. Raumladungszonen ergeben sich durch Störung der räumlichen Homogenität wie an der Oberfläche des Kristalls, bei einem Metall-Halbleiter-Kontakt, einem p-n-Übergang, an Korngrenzen und bei Auftreten von Oberflächenzuständen (z. B. Oberflächenplasmonen).
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间电，间电层Eine Raumladungszone ist in Halbleitern ein Bereich, in dem entweder ein Überschuss bzw. Mangel von Ladungsträgern vorherrscht, sodass diese Zone nicht mehr ladungsneutral ist. Raumladungszonen ergeben sich durch Störung der räumlichen Homogenität wie an der Oberfläche des Kristalls, bei einem Metall-Halbleiter-Kontakt, einem p-n-Übergang, an Korngrenzen und bei Auftreten von Oberflächenzuständen (z. B. Oberflächenplasmonen).
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【电】
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Austrittsquerschnitt, Austrittsradius, Austrittsrichtschaufel, Austrittsrohr, Austrittssammler, Austrittsschalldämpfer, Austrittsschaufel, Austrittsschlitz, Austrittsschranke, Austrittsseite,
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Austrittswelle, Austrittswinkel, Austrittszustand, Austro, austroasieatisch, austrocknen, Austrockner, Austrocknung, Austrocknungsdauer, Austrocknungsmittel,
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die 间电，间电层
Eine Raumladungszone ist in Halbleitern ein Bereich, in dem entweder ein Überschuss bzw. Mangel von Ladungsträgern vorherrscht, sodass diese Zone nicht mehr ladungsneutral ist. Raumladungszonen ergeben sich durch Störung der räumlichen Homogenität wie an der Oberfläche des Kristalls, bei einem Metall-Halbleiter-Kontakt, einem p-n-Übergang, an Korngrenzen und bei Auftreten von Oberflächenzuständen (z. B. Oberflächenplasmonen).
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间电，间电层Eine Raumladungszone ist in Halbleitern ein Bereich, in dem entweder ein Überschuss bzw. Mangel von Ladungsträgern vorherrscht, sodass diese Zone nicht mehr ladungsneutral ist. Raumladungszonen ergeben sich durch Störung der räumlichen Homogenität wie an der Oberfläche des Kristalls, bei einem Metall-Halbleiter-Kontakt, einem p-n-Übergang, an Korngrenzen und bei Auftreten von Oberflächenzuständen (z. B. Oberflächenplasmonen).
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【电】
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Auswahlkriterien, Auswahlliste, Auswahllogik, Auswahllogikschaltung, Auswahlmannschaft, Auswahlmenü, Auswahlmöglichkeit, auswahlphase, Auswahlpriorität, Auswahlprüfung,
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Eine Raumladungszone ist in Halbleitern ein Bereich, in dem entweder ein Überschuss bzw. Mangel von Ladungsträgern vorherrscht, sodass diese Zone nicht mehr ladungsneutral ist. Raumladungszonen ergeben sich durch Störung der räumlichen Homogenität wie an der Oberfläche des Kristalls, bei einem Metall-Halbleiter-Kontakt, einem p-n-Übergang, an Korngrenzen und bei Auftreten von Oberflächenzuständen (z. B. Oberflächenplasmonen).
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auswalzen, Auswalzkanten, Auswalzkegel, Auswalzlänge, Auswalzstraße, Auswalzung, Auswanderer, auswandern, Auswanderung, auswärmen,
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die 荷区，荷层
Eine Raumladungszone ist in Halbleitern ein Bereich, in dem entweder ein Überschuss bzw. Mangel von Ladungsträgern vorherrscht, sodass diese Zone nicht mehr ladungsneutral ist. Raumladungszonen ergeben sich durch Störung der räumlichen Homogenität wie an der Oberfläche des Kristalls, bei einem Metall-Halbleiter-Kontakt, einem p-n-Übergang, an Korngrenzen und bei Auftreten von Oberflächenzuständen (z. B. Oberflächenplasmonen).
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荷区，荷层Eine Raumladungszone ist in Halbleitern ein Bereich, in dem entweder ein Überschuss bzw. Mangel von Ladungsträgern vorherrscht, sodass diese Zone nicht mehr ladungsneutral ist. Raumladungszonen ergeben sich durch Störung der räumlichen Homogenität wie an der Oberfläche des Kristalls, bei einem Metall-Halbleiter-Kontakt, einem p-n-Übergang, an Korngrenzen und bei Auftreten von Oberflächenzuständen (z. B. Oberflächenplasmonen).
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auswärtsöffnend, Auswärtsspiel, auswaschbar, Auswaschbarkeit, Auswaschbehälter, auswascheffekt, auswascheffekt nach einwirkung von spiritus/wasser-gemisch siehe abschnitt 5.5, auswaschen, Auswaschen mit Waschöl, Auswaschflasche,
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，间电层
Eine Raumladungszone ist in Halbleitern ein Bereich, in dem entweder ein Überschuss bzw. Mangel von Ladungsträgern vorherrscht, sodass diese Zone nicht mehr ladungsneutral ist. Raumladungszonen ergeben sich durch Störung der räumlichen Homogenität wie an der Oberfläche des Kristalls, bei einem Metall-Halbleiter-Kontakt, einem p-n-Übergang, an Korngrenzen und bei Auftreten von Oberflächenzuständen (z. B. Oberflächenplasmonen).
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间电，间电层Eine Raumladungszone ist in Halbleitern ein Bereich, in dem entweder ein Überschuss bzw. Mangel von Ladungsträgern vorherrscht, sodass diese Zone nicht mehr ladungsneutral ist. Raumladungszonen ergeben sich durch Störung der räumlichen Homogenität wie an der Oberfläche des Kristalls, bei einem Metall-Halbleiter-Kontakt, einem p-n-Übergang, an Korngrenzen und bei Auftreten von Oberflächenzuständen (z. B. Oberflächenplasmonen).
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ausweichen, ausweichend, Ausweichender, Ausweichflughafen, Ausweichflugplatz, Ausweichfrequenz, Ausweichgleis, Ausweichkanal, Ausweichlager, Ausweichleitstelle,
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